Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/532
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНовосад, Олексій Володимирович-
dc.contributor.authorМирончук, Галина Леонідівна-
dc.contributor.authorДанильчук, С. П.-
dc.contributor.authorЗамуруєва, Оксана Валеріївна-
dc.contributor.authorПіскач, Людмила Василівна-
dc.contributor.authorКітик, Іван Васильович-
dc.date.accessioned2019-09-23T10:05:17Z-
dc.date.available2019-09-23T10:05:17Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationНовосад О. В. Особливості фотопровідність монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 при низьких температурах / О. В. Новосад, Г. Л. Мирончук, С. П. Данильчук, О. В. Замуруєва, Л. В. Піскач, І. В. Кітик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - №1. - С. 50-55.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/532-
dc.description.abstractОсновні результати досліджень полягають у тому, що особливістю низькотемпературної фотопровідності монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 є домішкова та індукавана фотопровідність, а також довготривалі процеси релаксації фотопровідності. Оцінене значення часу релаксації фотопровідності становило ~102-103 с. Термічна енергія активації електронів з t-рівнів у монокристалах Tl0,75In0,75Sn0,25Se2 становила 0,13 еВ та 0,28 еВ. Зменшення вмісту Sn в Tl1-xIn1-xSnxSe2 призводить до зменшення глибини залягання цих рівнів. У монокристалах Tl0,9In0,9Sn0,1Se2 існує три дефектні центри, які виконують роль t-рівнів прилипання у різних температурних інтервалах.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.subjectмонокристалиuk_UA
dc.subjectдефектиuk_UA
dc.subjectфотопровідністьuk_UA
dc.subjectтермостимульована провідністьuk_UA
dc.titleSpecific Features of Photoconductivity of Tl1-xIn1-xSnxSe2 Monocrystals at Low Temperaturesuk_UA
dc.title.alternativeОсобливості фотопровідність монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 при низьких температурахuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т.20, №1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3529-10729-1-PB.pdf875.47 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.