DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/532| Назва: | Specific Features of Photoconductivity of Tl1-xIn1-xSnxSe2 Monocrystals at Low Temperatures |
| Інші назви: | Особливості фотопровідність монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 при низьких температурах |
| Автори: | Новосад, Олексій Володимирович Мирончук, Галина Леонідівна Данильчук, С. П. Замуруєва, Оксана Валеріївна Піскач, Людмила Василівна Кітик, Іван Васильович |
| Ключові слова: | монокристали дефекти фотопровідність термостимульована провідність |
| Дата публікації: | 2019 |
| Бібліографічний опис: | Новосад О. В. Особливості фотопровідність монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 при низьких температурах / О. В. Новосад, Г. Л. Мирончук, С. П. Данильчук, О. В. Замуруєва, Л. В. Піскач, І. В. Кітик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - №1. - С. 50-55. |
| Короткий огляд (реферат): | Основні результати досліджень полягають у тому, що особливістю низькотемпературної фотопровідності монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 є домішкова та індукавана фотопровідність, а також довготривалі процеси релаксації фотопровідності. Оцінене значення часу релаксації фотопровідності становило ~102-103 с. Термічна енергія активації електронів з t-рівнів у монокристалах Tl0,75In0,75Sn0,25Se2 становила 0,13 еВ та 0,28 еВ. Зменшення вмісту Sn в Tl1-xIn1-xSnxSe2 призводить до зменшення глибини залягання цих рівнів. У монокристалах Tl0,9In0,9Sn0,1Se2 існує три дефектні центри, які виконують роль t-рівнів прилипання у різних температурних інтервалах. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/532 |
| Розташовується у зібраннях: | Т.20, №1 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 3529-10729-1-PB.pdf | 875.47 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.