Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/532
Title: Specific Features of Photoconductivity of Tl1-xIn1-xSnxSe2 Monocrystals at Low Temperatures
Other Titles: Особливості фотопровідність монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 при низьких температурах
Authors: Новосад, Олексій Володимирович
Мирончук, Галина Леонідівна
Данильчук, С. П.
Замуруєва, Оксана Валеріївна
Піскач, Людмила Василівна
Кітик, Іван Васильович
Keywords: монокристали
дефекти
фотопровідність
термостимульована провідність
Issue Date: 2019
Citation: Новосад О. В. Особливості фотопровідність монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 при низьких температурах / О. В. Новосад, Г. Л. Мирончук, С. П. Данильчук, О. В. Замуруєва, Л. В. Піскач, І. В. Кітик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - №1. - С. 50-55.
Abstract: Основні результати досліджень полягають у тому, що особливістю низькотемпературної фотопровідності монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 є домішкова та індукавана фотопровідність, а також довготривалі процеси релаксації фотопровідності. Оцінене значення часу релаксації фотопровідності становило ~102-103 с. Термічна енергія активації електронів з t-рівнів у монокристалах Tl0,75In0,75Sn0,25Se2 становила 0,13 еВ та 0,28 еВ. Зменшення вмісту Sn в Tl1-xIn1-xSnxSe2 призводить до зменшення глибини залягання цих рівнів. У монокристалах Tl0,9In0,9Sn0,1Se2 існує три дефектні центри, які виконують роль t-рівнів прилипання у різних температурних інтервалах.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/532
Appears in Collections:Т.20, №1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3529-10729-1-PB.pdf875.47 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.