Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/532
Title: | Specific Features of Photoconductivity of Tl1-xIn1-xSnxSe2 Monocrystals at Low Temperatures |
Other Titles: | Особливості фотопровідність монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 при низьких температурах |
Authors: | Новосад, Олексій Володимирович Мирончук, Галина Леонідівна Данильчук, С. П. Замуруєва, Оксана Валеріївна Піскач, Людмила Василівна Кітик, Іван Васильович |
Keywords: | монокристали дефекти фотопровідність термостимульована провідність |
Issue Date: | 2019 |
Citation: | Новосад О. В. Особливості фотопровідність монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 при низьких температурах / О. В. Новосад, Г. Л. Мирончук, С. П. Данильчук, О. В. Замуруєва, Л. В. Піскач, І. В. Кітик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - №1. - С. 50-55. |
Abstract: | Основні результати досліджень полягають у тому, що особливістю низькотемпературної фотопровідності монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 є домішкова та індукавана фотопровідність, а також довготривалі процеси релаксації фотопровідності. Оцінене значення часу релаксації фотопровідності становило ~102-103 с. Термічна енергія активації електронів з t-рівнів у монокристалах Tl0,75In0,75Sn0,25Se2 становила 0,13 еВ та 0,28 еВ. Зменшення вмісту Sn в Tl1-xIn1-xSnxSe2 призводить до зменшення глибини залягання цих рівнів. У монокристалах Tl0,9In0,9Sn0,1Se2 існує три дефектні центри, які виконують роль t-рівнів прилипання у різних температурних інтервалах. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/532 |
Appears in Collections: | Т.20, №1 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
3529-10729-1-PB.pdf | 875.47 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.