1. Precarpathian National University Repository
  2. Відкриті архіви підрозділів ПНУ
  3. Фізико-технічний факультет
  4. Статті та тези (ФТФ)
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/4810
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorТерлецький, Андрій Іванович-
dc.contributor.authorTighinyanu, Ion-
dc.contributor.authorUrsaki, Viaceslav-
dc.date.accessioned2020-04-09T18:47:53Z-
dc.date.available2020-04-09T18:47:53Z-
dc.date.issued1995-
dc.identifier.citationTiginyanu I. M. Improvement of InP crystalline perfection by He+- implantation and subsequent annealing // I. M. Tiginyanu, A. I. Terletsky, V. V. Ursaki // Solid State Commun. – 1995. – Vol. 96, No.10. – pp. 789-792.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/4810-
dc.publisherSolid State Communicationuk_UA
dc.subjectфосфід індіюuk_UA
dc.subjectдосконалість кристалічної ґраткиuk_UA
dc.subjectRaman spectrauk_UA
dc.titleПокращення досконалості кристалічної ґратки InP шляхом імплантації іонів Не+ та наступного відпалуuk_UA
dc.title.alternativeImprovement of InP crystalline perfection by He+- implantation and subsequent annealinguk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
tiginyanu.improvement_of_inp_crystalline.pdf353.18 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.