Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/4777
Назва: | THERMOELECTRIC PROPERTIES OF BISMUTH-DOPED TIN TELLURIDE SnTe:Bi |
Інші назви: | Стаття |
Автори: | Фреїк, Дмитро Михайлович Мудрий, Степан Іванович Прокопів, Володимир Васильович Горічок, Ігор Володимирович Матківський, Остап Миколайович Арсенюк, Інна Олександрівна Криницький, Олександр Степанович Бойчук, Володимира Михайлівна |
Ключові слова: | tin telluride, doping, thermoelectric properties |
Дата публікації: | 2016 |
Бібліографічний опис: | Ukr. J. Phys. 2016. Vol. 61, No. 2 |
Серія/номер: | Український фізичний журнал.;2016. Vol. 61, No. 2 |
Короткий огляд (реферат): | X-ray researches are carries out, and the thermoelectric coefficient 𝛼 and the specific conductivity 𝜎 are measured for tin telluride specimens doped with bismuth to concentrations of 0–2.0 at.% Bi. Non-monotonic dependences of the unit cell parameter and the electrical parameters on the Bi impurity content are demonstrated. The introduction of bismuth to 1.0 at.% is found to favor an increase in the thermoelectric power 𝛼2𝜎 in SnTe at temperatures 𝑇 > 500 K as a result of the thermoelectric coefficient growth. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/4777 |
Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Ukjourph_2016_61_2_11 (2).pdf | 593.47 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.