Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/4195
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorВозняк, Орест Михайлович-
dc.contributor.authorФреїк, Дмитро Михайлович-
dc.contributor.authorЧобанюк, Володимир Михайлович-
dc.date.accessioned2020-04-03T19:39:47Z-
dc.date.available2020-04-03T19:39:47Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationФреїк Д.М., Возняк О.М., Чобанюк В.М. Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. I. Теоретичні аспекти розрахунку \\ ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА. - 2010. -Т. 11, № 4ю - С. 797-803.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/4195-
dc.description.abstractПроведено аналіз методів розрахунку мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах, що базуються на моделях одиничного та періодичного дефектів відповідно. Особлива увага звернута на методи ефективної маси, Слєтера-Костера, псевдопотенціалу, Волкова-Панкратова, функціоналу густини та квантово-хімічних підходах. Підкреслено особливості використання відзначених методів розрахунку та отриманих на їх основі результатів.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectлокалізовані стани, мілкі центри, глибокі центри, квантово-механічні методиuk_UA
dc.titleЛокалізовані стани електронів у напівпровідниках. I. Теоретичні аспекти розрахункуuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1104-01.pdf166.05 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.