DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/4195| Назва: | Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. I. Теоретичні аспекти розрахунку |
| Автори: | Возняк, Орест Михайлович Фреїк, Дмитро Михайлович Чобанюк, Володимир Михайлович |
| Ключові слова: | локалізовані стани, мілкі центри, глибокі центри, квантово-механічні методи |
| Дата публікації: | 2010 |
| Бібліографічний опис: | Фреїк Д.М., Возняк О.М., Чобанюк В.М. Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. I. Теоретичні аспекти розрахунку \\ ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА. - 2010. -Т. 11, № 4ю - С. 797-803. |
| Короткий огляд (реферат): | Проведено аналіз методів розрахунку мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах, що базуються на моделях одиничного та періодичного дефектів відповідно. Особлива увага звернута на методи ефективної маси, Слєтера-Костера, псевдопотенціалу, Волкова-Панкратова, функціоналу густини та квантово-хімічних підходах. Підкреслено особливості використання відзначених методів розрахунку та отриманих на їх основі результатів. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/4195 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1104-01.pdf | 166.05 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.