1. Precarpathian National University Repository
  2. Відкриті архіви підрозділів ПНУ
  3. Фізико-технічний факультет
  4. Статті та тези (ФТФ)
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/4193
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorВозняк, Орест Михайлович-
dc.contributor.authorФреїк, Дмитро Михайлович-
dc.contributor.authorНикируй, Любомир Іванович-
dc.contributor.authorІльків, Олег Іванович-
dc.date.accessioned2020-04-03T19:39:27Z-
dc.date.available2020-04-03T19:39:27Z-
dc.date.issued2007-
dc.identifier.citationД.М. Фреїк, Л.І. Никируй, О.І. Ільків, О.М. Возняк Метод часу релаксації та варіаційний підхід у аналізі явищ переносу у напівпровідниках AIVBVI // ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА. - 2007. - Т. 8, № 3.- С. 451-456uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/4193-
dc.description.abstractВиконано порівняльний аналіз різних теоретичних наближень, які використовують для розв’язання рівняння Больцмана при дослідженні механізмів розсіювання носіїв заряду у напівпровідниках AIVBVI: метод часу релаксації та варіаційний підхід. Визначено концентраційні та температурні межі домінування окремих механізмів розсіювання носіїв заряду. Вказана переваги кожного із розглядуваних підходів.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectнапівпровідники AIVBVI, механізми розсіювання, рухливість носіїв заряду, метод часу релаксації, варіаційний підхідuk_UA
dc.titleМетод часу релаксації та варіаційний підхід у аналізі явищ переносу у напівпровідниках AIVBVIuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
0803-02.pdf370.84 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.