Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/3484
Назва: Crystal-Quasichemical Analysis Of Defect Subsystem Of Doped Pbte: Sb Crystals And Pb-Sb-Te Solid Solutions
Автори: Freik, D.
Turovska, L.
Ключові слова: lead telluride
antimony
dopant
solid solution
point defects
Дата публікації: 2014
Видавництво: Vasyl Stefanyk Precarpathian National University
Бібліографічний опис: Freik D. M. Crystal-Quasichemical Analysis Of Defect Subsystem Of Doped Pbte: Sb Crystals And Pb-Sb-Te Solid Solutions / D. M. Freik, L. V. Turovska // Journal of Vasyl Stefanyk Precarpathian National University. - 2014. - Vol. 1. - № 1. - P. 55-63.
Короткий огляд (реферат): Within crystalquasichemical formalism models of point defects of crystals in the Pb-Sb-Te system were specified. Based on proposed crystalquasichemical formulae of antimony doped crystals PbTe:Sb amphoteric dopant effect was explained. Mechanisms of solid solution formation for РbТе-Sb2Те3: replacement of antimony ions lead sites with the formation of cation vacancies (I) or neutral interstitial tellurium atoms (II) were examined. Dominant point defects in doped crystals PbTe:Sb and РbТе-Sb2Те3 solid solutions based on p-PbTe were defined. Dependences of concentration of dominant point defects, current carriers and Hall concentration on content of dopant compound and the initial deviation from stoichiometry in the basic matrix were calculated.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/3484
Розташовується у зібраннях:Vol. 1, № 1

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
258-1022-1-PB.pdf889.62 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.