1. Precarpathian National University Repository
  2. Відкриті архіви підрозділів ПНУ
  3. Фізико-технічний факультет
  4. Статті та тези (ФТФ)
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/3266
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorМахній, Віктор Петрович-
dc.contributor.authorПавлюк, Мирослав Федорович-
dc.contributor.authorРаранський, Микола Дмитрович-
dc.contributor.authorХуснутдінов, Сергій Валерійович-
dc.date.accessioned2020-03-31T16:00:00Z-
dc.date.available2020-03-31T16:00:00Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationВ.П. Махній, М.Ф. Павлюк, М.Д. Раранський, С.В. Хуснутдінов. Особливості структурних властивостей гетерошарів оксиду цинку //Наук. вісник ЧНУ. Фізика. Електроніка, Т.3 В.2, сc. 54-57 (2014).uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/3266-
dc.description.abstractДосліджена кристалічна структура гетерошарів оксиду цинку, отриманих методом ізовалентного заміщення на монокристалічних підкладинках халькогенідів цинку (ZnS, ZnSe і ZnTe). Показано, що шари складаються з деформованих гексоїдів, середні розміри яких знаходяться у межах 50–300 нм, а вісь cr нанокристалітів розташована перпендикулярно до площини підкладинки.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectхалькогеніди цинку, оксид цинку, гетерошар, ізовалентне заміщенняuk_UA
dc.titleОсобливості структурних властивостей гетерошарів оксиду цинкуuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Nvchnufe_2014_3_2_10.pdf940.33 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.