1. Precarpathian National University Repository
  2. Відкриті архіви підрозділів ПНУ
  3. Фізико-технічний факультет
  4. Статті та тези (ФТФ)
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/3259
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМахній, Віктор Петрович-
dc.contributor.authorБодюл, Генадій Іванович-
dc.contributor.authorГерман, Іванна Іванівна-
dc.contributor.authorПавлюк, Мирослав Федорович-
dc.date.accessioned2020-03-31T15:58:19Z-
dc.date.available2020-03-31T15:58:19Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationВ.П. Махній, Г.І.Бодюл, І.І.Герман, М.Ф.Павлюк. Вплив ізовалентних домішок Ва та Са на електричні властивості телуриду кадмію // Наук. вісник ЧНУ. Фізика. Електроніка, Т.3 В.1, сc. 74-76 (1014).uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/3259-
dc.description.abstractШляхом низькотемпературного відпалу підкладинок n-CdTe у розчинах солей BaNO3 і CaNO3 створено шари p-типу провідності. Встановлено, що ізовалентні домішки Ba і Ca стимулюють генерацію власних точкових дефектів акцепторного типу, енергії іонізації яких складають 40, 100 і 175 меВ. Оціночна концентрація вільних дірок у дифузійних шарах при 300 К становить (5–10)1016 см–3.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectлегування, дифузійні шари, телурид кадміюuk_UA
dc.titleВплив ізовалентних домішок Ва та Са на електричні властивості телуриду кадміюuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Nvchnufe_2014_3_1_14.pdf236.5 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.