Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/3259
Назва: Вплив ізовалентних домішок Ва та Са на електричні властивості телуриду кадмію
Автори: Махній, Віктор Петрович
Бодюл, Генадій Іванович
Герман, Іванна Іванівна
Павлюк, Мирослав Федорович
Ключові слова: легування, дифузійні шари, телурид кадмію
Дата публікації: 2014
Бібліографічний опис: В.П. Махній, Г.І.Бодюл, І.І.Герман, М.Ф.Павлюк. Вплив ізовалентних домішок Ва та Са на електричні властивості телуриду кадмію // Наук. вісник ЧНУ. Фізика. Електроніка, Т.3 В.1, сc. 74-76 (1014).
Короткий огляд (реферат): Шляхом низькотемпературного відпалу підкладинок n-CdTe у розчинах солей BaNO3 і CaNO3 створено шари p-типу провідності. Встановлено, що ізовалентні домішки Ba і Ca стимулюють генерацію власних точкових дефектів акцепторного типу, енергії іонізації яких складають 40, 100 і 175 меВ. Оціночна концентрація вільних дірок у дифузійних шарах при 300 К становить (5–10)1016 см–3.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/3259
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Nvchnufe_2014_3_1_14.pdf236.5 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.