Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском

Abstract

У роботі досліджено зміни питомого опору кристалів n-Si з температурою і направленим тиском Х, орієнтованим як у напрямку á100ñ, так і в напрямку [111]. За експериментальними даними поздовжнього і поперечного тензоопору одержано значення параметра анізотропії рухливості для умов J r|| Xr|| [100] та J r ^ X r || [100]. Виявлено наявність тензоопору в n-Si за умов X r || J r || [111], тобто, при відсутності міжмінімумного перерозподілу носіїв заряду. Наведено фізичне обґрунтування одержаних результатів.