Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/320
Title: | Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском |
Other Titles: | Investigation of Changes in Resistivity of n-Si with Temperature and Uniaxial Stress |
Authors: | Гайдар, Галина Петрівна |
Keywords: | кремній, питомий опір, направлена пружна деформація, тензоопір, параметр анізотропії рухливості. |
Issue Date: | 2017 |
Publisher: | ДВНЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Гайдар Г.П. Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском / Г.П. Гайдар // Фізика і хімія твердого тіла. – 2017. – Т.18, № 1. – С. 34-40. |
Series/Report no.: | Фізика і хімія твердого тіла;Т. 18, № 1 |
Abstract: | У роботі досліджено зміни питомого опору кристалів n-Si з температурою і направленим тиском Х, орієнтованим як у напрямку á100ñ, так і в напрямку [111]. За експериментальними даними поздовжнього і поперечного тензоопору одержано значення параметра анізотропії рухливості для умов J r|| Xr|| [100] та J r ^ X r || [100]. Виявлено наявність тензоопору в n-Si за умов X r || J r || [111], тобто, при відсутності міжмінімумного перерозподілу носіїв заряду. Наведено фізичне обґрунтування одержаних результатів. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/320 |
ISSN: | 1729-4428 |
Appears in Collections: | Т 18, № 1 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
1801-05.pdf | 316.83 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.