Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/320
Title: Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском
Other Titles: Investigation of Changes in Resistivity of n-Si with Temperature and Uniaxial Stress
Authors: Гайдар, Галина Петрівна
Keywords: кремній, питомий опір, направлена пружна деформація, тензоопір, параметр анізотропії рухливості.
Issue Date: 2017
Publisher: ДВНЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Гайдар Г.П. Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском / Г.П. Гайдар // Фізика і хімія твердого тіла. – 2017. – Т.18, № 1. – С. 34-40.
Series/Report no.: Фізика і хімія твердого тіла;Т. 18, № 1
Abstract: У роботі досліджено зміни питомого опору кристалів n-Si з температурою і направленим тиском Х, орієнтованим як у напрямку á100ñ, так і в напрямку [111]. За експериментальними даними поздовжнього і поперечного тензоопору одержано значення параметра анізотропії рухливості для умов J r|| Xr|| [100] та J r ^ X r || [100]. Виявлено наявність тензоопору в n-Si за умов X r || J r || [111], тобто, при відсутності міжмінімумного перерозподілу носіїв заряду. Наведено фізичне обґрунтування одержаних результатів.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/320
ISSN: 1729-4428
Appears in Collections:Т 18, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1801-05.pdf316.83 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.