Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/319
Назва: | Електрична нестабільність кристалів CdTe:Si |
Інші назви: | Electrical Instability of CdTe:Si Crystals |
Автори: | Никонюк, Євген Сергійович Фочук, Петро Михайлович Солодін, Сергій Володимирович Ковалець, Маргарита Олексіївна Захарук, Зінаїда Іванівна Панчук, Олег Ельпідефорович |
Ключові слова: | телурид кадмію, силіцій, легування, електричні властивості, домішка, преципітати |
Дата публікації: | 2017 |
Видавництво: | ДВНЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Бібліографічний опис: | Никонюк Є.С. Електрична нестабільність кристалів CdTe:Si / Є.С. Никонюк, П.М. Фочук, С.В. Солодін, М.О. Ковалець, З.І. Захарук, О.Е. Панчук // Фізика і хімія твердого тіла. – 2017. – Т.18, № 1. – С. 29-33. |
Серія/номер: | Т. 18, № 1; |
Короткий огляд (реферат): | У роботі наведені результати досліджень температурних залежностей електропровідності та постійної Холла у кристалах CdTe, легованих кремнієм (концентрація домішки у розплаві була 1018 -1019 см-3). Проведена класифікація досліджуваних зразків і умов, при яких можуть реалізуватися конкретні домішкові стани. Знайдено відмінність між трьома групами кристалів CdTe:Si: (1) - низькоомні кристалу p-типу з мілкими акцепторами, у яких домішка Si локалізована головним чином у великих вкрапленнях; (2) - напівізолюючі кристали з глибокими акцепторами і преципітатами Si субмікронного розміру, які є джерелом міжвузлових мілких донорів Sii; (3) - низькоомні кристали, у яких n-тип провідності забезпечується мілкими донорами Sii (і/або) SiCd. Таким чином, кремній відповідальний за n-тип провідності легованих кристалів, якщо він впроваджений як донор Sii, і забезпечує напівізолюючий стан шляхом формування глибоких акцепторних комплексів (SiCd-VCd2-)- з енергетичним рівнем (Еv + 0,65 еВ). Субмікронні преципітати кремнію, що мають тенденцію до розчинення при відносно низьких температурах, можуть діяти як електрично активні центри. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/319 |
ISSN: | 1729-4428 |
Розташовується у зібраннях: | Т 18, № 1 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
1801-04.pdf | 414.27 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.