Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/3026
Назва: Optical properties of CdS/CdTe heterojunction prepared by physical vapor deposition technique
Інші назви: Оптичні властивості гетеропереходу CdS/CdTe, отримані методом фізичного осадження з парової фази
Автори: Nykyruy, L.
Yaremiichuk, O.
Zapukhlyak, Z.
Yavorskyi, R.
Potera, P.
Malyarska, I.
Fedoryk, O.
Ключові слова: thin films heterojunction, thermal evaporation method, optical properties
Дата публікації: вер-2018
Видавництво: Physics and Chemistry of Solid State
Бібліографічний опис: Nykyruy, L., Yaremiichuk, O., Zapukhlyak, Z., Yavorskyi, R., Potera, P., Malyarska, I., & Fedoryk, O. (2018). Optical properties of CdS/CdTe heterojunction prepared by physical vapor deposition technique. Physics and Chemistry of Solid State, 19(3), 209-216.
Короткий огляд (реферат): The paper presents the study of the optical properties of a thin layer of Cadmium Sulphide deposited on Cadmium Telluride films. CdTe thin films were obtained by vapor phase condensation method using different technological factors, in particular, different thickness (different time of deposition τ) on glass substrates. After deposition the optical properties were analysed by Swanepoel method, using transmission spectra. The upper thin layer of CdS was deposited by thermal evaporation method on CdTe thin films. The change in optical properties of CdS/CdTe heterojunction in comparison with CdTe thin films was investigated. Using a Swanepoel method were calculated the main optical constants, such as refractive index, absorption coefficient and optical conductivity. By this method the thickness of the thin film was determined and compared with the experimental values obtained by the profilometer.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/3026
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
3275-9719-1-PB.pdf400.35 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.