DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/3025| Назва: | Vapor Phase Condensation for Photovoltaic CdTe Films |
| Інші назви: | Технологія осадження відкритим випаровуванням у вакуумі фотоелектричних плівок CdTe |
| Автори: | Yavorskyi, R. Zapukhlyak, Z. Yavorskyi, Y. Nykyruy, L. |
| Ключові слова: | cadmium telluride, thin films, nanostructures, growth processes |
| Дата публікації: | гру-2017 |
| Видавництво: | Physics and Chemistry of Solid State |
| Бібліографічний опис: | Yavorskyi, R. S., Zapukhlyak, Z. R., Yavorskyi, Y. S., & Nykyruy, L. I. (2017). Vapor Phase Condensation for Photovoltaic CdTe Films. Physics and Chemistry of Solid State, 18(4), 410-416. |
| Короткий огляд (реферат): | Thin films of CdTe were obtained by vapor phase condensation, namely by open vacuum evaporation, using different technological factors, in particular, different thickness (different time of deposition t) d = (540 -2835) nm, deposition temperature Td = 200°C and evaporator temperature Te (500 - 600)°C. The films were deposited on silicon substrates. The morphology of thin film condensates is determined on the basis of ASM and SEM studies analysis. Were received dependences of avarage roughness and root mean square roughness from the material of substrate and film thickness. It was established that the growth of surface nanostructures is determined by Strankі-Krastanov mechanism. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/3025 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 2392-6745-1-PB.pdf | 3.8 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.