Quasichemical modelling of defect subsystem of tin telluride crystals

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/3023

Назва:	Quasichemical modelling of defect subsystem of tin telluride crystals
Автори:	Prokopiv, V. Turovska, L. Nykyruy, L. Horichok, I.
Ключові слова:	Equilibrium constants; Point defects; Quasichemistry; Tin telluride; Two-temperature annealing
Дата публікації:	лип-2017
Видавництво:	Chalcogenide Letters
Бібліографічний опис:	Prokopiv, V. V., Turovska, L. V., Nykyruy, L. I., & Horichok, I. V. (2016). Quasichemical modelling of defect subsystem of tin telluride crystals. Chalcogenide Letters, 13(7), 309-315.
Короткий огляд (реферат):	By the method of modelling with quasichemical reactions, formation of native atomic defects in tin telluride crystals has been described. Based on the analysis of electroneutrality condition, concentration dependences of charge carriers and point defects on the temperature and partial vapour pressure of tellurium have been found. The constants of corresponding reactions have been specified.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу):	http://hdl.handle.net/123456789/3023
Розташовується у зібраннях:	Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:

Файл	Опис	Розмір	Формат
309_ProkopivV.pdf		714.36 kB	Adobe PDF	Переглянути/Відкрити

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

DSpace JSPUI