Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/2967
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Фреїк, Дмитро Михайлович | - |
dc.contributor.author | Прокопів, Володимир Васильович | - |
dc.contributor.author | Писклинець, Уляна Михайлівна | - |
dc.contributor.author | Ліщинський, Ігор Мирославович | - |
dc.date.accessioned | 2020-03-30T14:59:18Z | - |
dc.date.available | 2020-03-30T14:59:18Z | - |
dc.date.issued | 2002 | - |
dc.identifier.citation | ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА Т.3, №1 (2002) С. 526-530 | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/2967 | - |
dc.description.abstract | Методом моделювання квазіхімічними реакціями високотемпературної рівноваги дефектів описано зміну типу про-відності у телуриді кадмію під впливом технологічних факторів і легуючої домішки індію. Одержано аналітичний вираз для визначення парціального тиску пари кадмію , що відповідає термодинамічному n-p-переходу, для чистого і з домішкою індію телуриду кадмію. Визначені умови формування матеріалу n- і р-типу провідності із заданою концентрацією носіїв струму. Умови реалізації термодинамічного n-p-переходу пояснено температурними і баричними залежностями концентрації дефектів. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.relation.ispartofseries | ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА;Т.3, №1 (2002) С. 526-530 | - |
dc.subject | телурид кадмію, індій, дефекти, квазіхімія, константи рівноваги | uk_UA |
dc.title | Вплив технологічних факторів і легуючої домішки індію на дефектну систему і тип провідності у телуриді кадмію | uk_UA |
dc.title.alternative | Стаття | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Статті та тези (ФТФ) |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
ФХТТ,Т.3, №3 (2002) С. 526-530.pdf | 299.62 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.