Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/2948
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorПрокопів, Володимир Васильович-
dc.contributor.authorФочук, Петро Михайлович-
dc.contributor.authorГорічок, Ігор Володимирович-
dc.contributor.authorВержак, Євгенія Василівна-
dc.date.accessioned2020-03-30T14:55:51Z-
dc.date.available2020-03-30T14:55:51Z-
dc.date.issued2009-
dc.identifier.citationSemiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009. V. 12, N 4. P. 412-416.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/2948-
dc.description.abstractThe defective structure of specifically undoped cadmium telluride crystals was researched using the theory of thermodynamic potentials. The calculated concentration of point defects and free charge carriers in the CdTe crystals, depending on technological factors of two-temperature annealing (annealing temperature T and partial pressure of cadmium PCd vapor). The dominant types of defects that determine the basic properties of the material n- and p-type conduction were determined.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.relation.ispartofseriesSemiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics;2009. V. 12, N 4. P. 412-416.-
dc.subjecttwo-temperature annealing, thermodynamic potential, point defects, electrical properties, cadmium telluride.uk_UA
dc.titleThermodynamic analysis of processes creating the defects in cadmium telluride crystals under conditions of high-temperature annealinguk_UA
dc.title.alternativeСтаттяuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
v12n4-09-p412-416.pdf304.87 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.