DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/2948| Назва: | Thermodynamic analysis of processes creating the defects in cadmium telluride crystals under conditions of high-temperature annealing |
| Інші назви: | Стаття |
| Автори: | Прокопів, Володимир Васильович Фочук, Петро Михайлович Горічок, Ігор Володимирович Вержак, Євгенія Василівна |
| Ключові слова: | two-temperature annealing, thermodynamic potential, point defects, electrical properties, cadmium telluride. |
| Дата публікації: | 2009 |
| Бібліографічний опис: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009. V. 12, N 4. P. 412-416. |
| Серія/номер: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics;2009. V. 12, N 4. P. 412-416. |
| Короткий огляд (реферат): | The defective structure of specifically undoped cadmium telluride crystals was researched using the theory of thermodynamic potentials. The calculated concentration of point defects and free charge carriers in the CdTe crystals, depending on technological factors of two-temperature annealing (annealing temperature T and partial pressure of cadmium PCd vapor). The dominant types of defects that determine the basic properties of the material n- and p-type conduction were determined. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/2948 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| v12n4-09-p412-416.pdf | 304.87 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.