Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/20775
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Сичікова, Яна Олександрівна | - |
dc.contributor.author | Ковачов, Сергій Сергійович | - |
dc.contributor.author | Богданов, Ігор Тимофійович | - |
dc.contributor.author | Дрожча, Д. С. | - |
dc.contributor.author | Косогов, Іван Георгійович | - |
dc.contributor.author | Каріпбаєв, Жакиб | - |
dc.contributor.author | Попов, Aнатолій І. | - |
dc.date.accessioned | 2024-10-29T13:19:25Z | - |
dc.date.available | 2024-10-29T13:19:25Z | - |
dc.date.issued | 2024 | - |
dc.identifier.citation | Сичікова Я. О. Синтез та характеристика β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктур для покращених портативних сонячних елементів / Я. О. Сичікова, С. С. Ковачов, І. Т. Богданов, Д. С. Дрожча, І. Г. Косогов, Жакиб Каріпбаєв, A. І. Попов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2024. - Т. 25. - № 3. - С. 546-552. | uk_UA |
dc.identifier.other | 10.15330/pcss.25.3.546-552 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/20775 | - |
dc.description.abstract | У даному дослідженні детально описано успішний синтез β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктури, розробленої для портативних сонячних елементів. Застосовуючи комбінацію електрохімічного травлення та високотемпературного окислення киснем, ми створили гетероструктуру, яка має як кристалічні, так і аморфні фази. Аналізи за допомогою рентгенівської дифракції (XRD), скануючої електронної мікроскопії (SEM) та раманівської спектроскопії підтвердили утворення кристалічних фаз β-Ga2O3 та GaAs, причому пористість у шарі GaAs підвищує поглинання світла та збір заряду. Потенціал гетероструктури для покращення фотогальванічних характеристик обумовлений властивою стабільністю Ga2O3 та збільшеною площею поверхні, забезпеченою пористим GaAs. | uk_UA |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника | uk_UA |
dc.subject | β-Ga2O3 | uk_UA |
dc.subject | mono-GaAs | uk_UA |
dc.subject | por-GaAs | uk_UA |
dc.subject | гетероструктура | uk_UA |
dc.subject | сонячні елементи | uk_UA |
dc.subject | окислення киснем | uk_UA |
dc.subject | електрохімічне травлення | uk_UA |
dc.subject | раманівська спектроскопія | uk_UA |
dc.title | Синтез та характеристика β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктур для покращених портативних сонячних елементів | uk_UA |
dc.title.alternative | Synthesis and Characterization of β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs Heterostructures for Enhanced Portable Solar Cells | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Т. 25, № 3 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
15_Suchikova(e).pdf | 597.34 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.