Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/20775
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСичікова, Яна Олександрівна-
dc.contributor.authorКовачов, Сергій Сергійович-
dc.contributor.authorБогданов, Ігор Тимофійович-
dc.contributor.authorДрожча, Д. С.-
dc.contributor.authorКосогов, Іван Георгійович-
dc.contributor.authorКаріпбаєв, Жакиб-
dc.contributor.authorПопов, Aнатолій І.-
dc.date.accessioned2024-10-29T13:19:25Z-
dc.date.available2024-10-29T13:19:25Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.citationСичікова Я. О. Синтез та характеристика β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктур для покращених портативних сонячних елементів / Я. О. Сичікова, С. С. Ковачов, І. Т. Богданов, Д. С. Дрожча, І. Г. Косогов, Жакиб Каріпбаєв, A. І. Попов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2024. - Т. 25. - № 3. - С. 546-552.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.25.3.546-552-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/20775-
dc.description.abstractУ даному дослідженні детально описано успішний синтез β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктури, розробленої для портативних сонячних елементів. Застосовуючи комбінацію електрохімічного травлення та високотемпературного окислення киснем, ми створили гетероструктуру, яка має як кристалічні, так і аморфні фази. Аналізи за допомогою рентгенівської дифракції (XRD), скануючої електронної мікроскопії (SEM) та раманівської спектроскопії підтвердили утворення кристалічних фаз β-Ga2O3 та GaAs, причому пористість у шарі GaAs підвищує поглинання світла та збір заряду. Потенціал гетероструктури для покращення фотогальванічних характеристик обумовлений властивою стабільністю Ga2O3 та збільшеною площею поверхні, забезпеченою пористим GaAs.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherПрикарпатський національний університет імені Василя Стефаникаuk_UA
dc.subjectβ-Ga2O3uk_UA
dc.subjectmono-GaAsuk_UA
dc.subjectpor-GaAsuk_UA
dc.subjectгетероструктураuk_UA
dc.subjectсонячні елементиuk_UA
dc.subjectокислення киснемuk_UA
dc.subjectелектрохімічне травленняuk_UA
dc.subjectраманівська спектроскопіяuk_UA
dc.titleСинтез та характеристика β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктур для покращених портативних сонячних елементівuk_UA
dc.title.alternativeSynthesis and Characterization of β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs Heterostructures for Enhanced Portable Solar Cellsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 25, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
15_Suchikova(e).pdf597.34 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.