DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/20775| Назва: | Синтез та характеристика β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктур для покращених портативних сонячних елементів |
| Інші назви: | Synthesis and Characterization of β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs Heterostructures for Enhanced Portable Solar Cells |
| Автори: | Сичікова, Яна Олександрівна Ковачов, Сергій Сергійович Богданов, Ігор Тимофійович Дрожча, Д. С. Косогов, Іван Георгійович Каріпбаєв, Жакиб Попов, Aнатолій І. |
| Ключові слова: | β-Ga2O3 mono-GaAs por-GaAs гетероструктура сонячні елементи окислення киснем електрохімічне травлення раманівська спектроскопія |
| Дата публікації: | 2024 |
| Видавництво: | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника |
| Бібліографічний опис: | Сичікова Я. О. Синтез та характеристика β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктур для покращених портативних сонячних елементів / Я. О. Сичікова, С. С. Ковачов, І. Т. Богданов, Д. С. Дрожча, І. Г. Косогов, Жакиб Каріпбаєв, A. І. Попов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2024. - Т. 25. - № 3. - С. 546-552. |
| Короткий огляд (реферат): | У даному дослідженні детально описано успішний синтез β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктури, розробленої для портативних сонячних елементів. Застосовуючи комбінацію електрохімічного травлення та високотемпературного окислення киснем, ми створили гетероструктуру, яка має як кристалічні, так і аморфні фази. Аналізи за допомогою рентгенівської дифракції (XRD), скануючої електронної мікроскопії (SEM) та раманівської спектроскопії підтвердили утворення кристалічних фаз β-Ga2O3 та GaAs, причому пористість у шарі GaAs підвищує поглинання світла та збір заряду. Потенціал гетероструктури для покращення фотогальванічних характеристик обумовлений властивою стабільністю Ga2O3 та збільшеною площею поверхні, забезпеченою пористим GaAs. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/20775 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 25, № 3 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 15_Suchikova(e).pdf | 597.34 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.