Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/20775
Title: Синтез та характеристика β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктур для покращених портативних сонячних елементів
Other Titles: Synthesis and Characterization of β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs Heterostructures for Enhanced Portable Solar Cells
Authors: Сичікова, Яна Олександрівна
Ковачов, Сергій Сергійович
Богданов, Ігор Тимофійович
Дрожча, Д. С.
Косогов, Іван Георгійович
Каріпбаєв, Жакиб
Попов, Aнатолій І.
Keywords: β-Ga2O3
mono-GaAs
por-GaAs
гетероструктура
сонячні елементи
окислення киснем
електрохімічне травлення
раманівська спектроскопія
Issue Date: 2024
Publisher: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Citation: Сичікова Я. О. Синтез та характеристика β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктур для покращених портативних сонячних елементів / Я. О. Сичікова, С. С. Ковачов, І. Т. Богданов, Д. С. Дрожча, І. Г. Косогов, Жакиб Каріпбаєв, A. І. Попов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2024. - Т. 25. - № 3. - С. 546-552.
Abstract: У даному дослідженні детально описано успішний синтез β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктури, розробленої для портативних сонячних елементів. Застосовуючи комбінацію електрохімічного травлення та високотемпературного окислення киснем, ми створили гетероструктуру, яка має як кристалічні, так і аморфні фази. Аналізи за допомогою рентгенівської дифракції (XRD), скануючої електронної мікроскопії (SEM) та раманівської спектроскопії підтвердили утворення кристалічних фаз β-Ga2O3 та GaAs, причому пористість у шарі GaAs підвищує поглинання світла та збір заряду. Потенціал гетероструктури для покращення фотогальванічних характеристик обумовлений властивою стабільністю Ga2O3 та збільшеною площею поверхні, забезпеченою пористим GaAs.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/20775
Appears in Collections:Т. 25, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
15_Suchikova(e).pdf597.34 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.