Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/20775
Title: | Синтез та характеристика β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктур для покращених портативних сонячних елементів |
Other Titles: | Synthesis and Characterization of β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs Heterostructures for Enhanced Portable Solar Cells |
Authors: | Сичікова, Яна Олександрівна Ковачов, Сергій Сергійович Богданов, Ігор Тимофійович Дрожча, Д. С. Косогов, Іван Георгійович Каріпбаєв, Жакиб Попов, Aнатолій І. |
Keywords: | β-Ga2O3 mono-GaAs por-GaAs гетероструктура сонячні елементи окислення киснем електрохімічне травлення раманівська спектроскопія |
Issue Date: | 2024 |
Publisher: | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника |
Citation: | Сичікова Я. О. Синтез та характеристика β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктур для покращених портативних сонячних елементів / Я. О. Сичікова, С. С. Ковачов, І. Т. Богданов, Д. С. Дрожча, І. Г. Косогов, Жакиб Каріпбаєв, A. І. Попов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2024. - Т. 25. - № 3. - С. 546-552. |
Abstract: | У даному дослідженні детально описано успішний синтез β-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs гетероструктури, розробленої для портативних сонячних елементів. Застосовуючи комбінацію електрохімічного травлення та високотемпературного окислення киснем, ми створили гетероструктуру, яка має як кристалічні, так і аморфні фази. Аналізи за допомогою рентгенівської дифракції (XRD), скануючої електронної мікроскопії (SEM) та раманівської спектроскопії підтвердили утворення кристалічних фаз β-Ga2O3 та GaAs, причому пористість у шарі GaAs підвищує поглинання світла та збір заряду. Потенціал гетероструктури для покращення фотогальванічних характеристик обумовлений властивою стабільністю Ga2O3 та збільшеною площею поверхні, забезпеченою пористим GaAs. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/20775 |
Appears in Collections: | Т. 25, № 3 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
15_Suchikova(e).pdf | 597.34 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.