Світловипромінювачі на основі GaN

Abstract

У роботі розглядається отримання епітаксійних шарів GaN і кристалів та результати досліджень їх оптичних та люмінесцентних властивостей. Визначені параметри ΔCR ≈ 10 меВ і ΔSO ≈ 48 меВ зонної структури отриманих матеріалів гексагональної модифікації. Встановлено механізми основних рекомбінаційних процесів, що визначають формування випромінювання нелегованих і легованих Zn матеріалів. Встановлено роль міжзонної рекомбінації і анігіляції екситонів при формуванні випромінювання у високоенергетичному діапазоні та переходи носіїв через енергетичні стани, що формуються і утворюються власними точковими дефектами кристалічної гратки та легуючою домішкою. Аналізується роль відповідних рекомбінаційних процесів у формуванні спектрів короткохвильового випромінювання.