Власні атомні дефекти кристалічної структури і фізико-хімічні властивості твердого розчину РЬТе-GaТе

Abstract

Запропоновані кристалоквазіхімічні реакції утворення власних атомних дефектів у телуриді свинцю при утворенні твердих розчинів РЬТе-GaТе. Встановлено, що донорна дія галію обумовлена двома механізмами: до 0,5 мол. % GaТе переважає механізм заміщення атомами галію вакансій свинцю - октаедричних порожнин, при 0,5-5 мол.% GaГе переважаючу роль відіграє як заміщення іонами Ga1+ октаедричних порожнин, так і вкорінення Ga у міжвузля - тетраедричні порожнини щільної упаковки телуру у РЬТе.