Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/19413
Назва: Експериментальні дослідження нового термоелектричного матеріалу на основі напівпровідникового твердого розчину Ti1-xAlxNiSn
Інші назви: Experimental studies of a new thermoelectric material based on semiconductor solid solution Ti1-xAlxNiSn
Автори: Стадник, Юрій Володимирович
Ромака, Володимир Афанасійович
Ромака, Любов Петрівна
Горинь, Андрій Маркіянович
Пашкевич, Володимир Зеновійович
Ключові слова: напівпровідник
електропровідність
рівень Фермі
коефіцієнт термо-ерс
Дата публікації: 2024
Видавництво: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Бібліографічний опис: Стадник Ю. В. Експериментальні дослідження нового термоелектричного матеріалу на основі напівпровідникового твердого розчину Ti1-xAlxNiSn / Ю. В. Стадник, В. А. Ромака, Л. П. Ромака, А. М. Горинь, В. З. Пашкевич // Фізика і хімія твердого тіла. - 2024. - Т. 25. - № 1. - С. 157-163.
Короткий огляд (реферат): Досліджено структурні, електрокінетичні та енергетичні властивості напівпровідникового твердого розчину Ti1-xAlxNiSn, отриманого уведенням до структури пів-Гейслерової фази TiNiSn атомів Al шляхом заміщення у кристалографічній позиції 4а атомів Ті. Показано, що на ділянці концентрацій х = 0–0.01 атоми Al, в основному, заміщають у позиції 4с атоми Ni, генеруючи акцепторні стани. Встановлено, що за температур Т = (80–160) К співвідношення концентрацій іонізованих акцепторних та донорних станів у n-Ti1-xAlxNiSn, х = 0–0.04, є незмінним, однак концентрація донорів є більшою. За вищих температур, Т ≥ 250 К, відбувається іонізація глибоких донорних станів, які існували в n-TiNiSn як результат «апріорного легування» напівпровідника. Виявлено додатковий механізм генерування донорних станів у n-Ti1-xAlxNiSn при частковому зайнятті атомами Al тетраедричних пустот структури. Співвідношення концентрацій генерованих донорно-акцепорних станів визначає положення рівня Фермі εF та механізми провідності n-Ti1-xAlxNiSn. Досліджений напівпровідниковий твердий розчин є перспективним термоелектричним матеріалом.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/19413
Розташовується у зібраннях:Т. 25, № 1

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
23_Stadnyk.pdf880.74 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.