Дослідження електронної структури InSb: експеримет та теорія

Abstract

У дослідженні наведено результати, пов’язані із аналізом комптонівського розсіювання (Cs) антимоніту індію (InSb). Для експериментальних вимірювань використовується спектрометр Комптона 241Am з джерелом гамма-випромінювання 59,54 кеВ. Лінійна комбінація атомних орбіталей - метод LCAO використовується в рамках теорії функціоналу густини - DFT для оцінки теоретичних значень розподілу густини імпульсу електронів. Виконано порівняння результатів дослідження та емпіричними даними. Експериментальні ізотропні профілі виявилися узгодженими із даними DFT. Крім того, для оцінки перенесення заряду в антимоніті індію (InSb), розрахунки з використанням іонної моделі (IO) на основі 5p-стану In і 5p-стану атомів Sb показали, що 0,5 електроного 5p-стану In могло бути перенесено у 5p-стан атомів Sb.