DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/19379| Title: | Дослідження електронної структури InSb: експеримет та теорія |
| Other Titles: | A study Electronic structure of InSb: Experiment and Theory |
| Authors: | Мохаммед, С. Д. Мохаммед, М. А. |
| Keywords: | Іонна модель комптонівський профіль антимоніт індію (InSb) густина імпульсу електронів |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника |
| Citation: | Мохаммед, С. Д. Дослідження електронної структури InSb: експеримет та теорія / С. Ф. Мохаммед, М. А. Мохаммед // Фізика і хімія твердого тіла. - 2024. - Т. 25. - № 1. - С. 73-78. |
| Abstract: | У дослідженні наведено результати, пов’язані із аналізом комптонівського розсіювання (Cs) антимоніту індію (InSb). Для експериментальних вимірювань використовується спектрометр Комптона 241Am з джерелом гамма-випромінювання 59,54 кеВ. Лінійна комбінація атомних орбіталей - метод LCAO використовується в рамках теорії функціоналу густини - DFT для оцінки теоретичних значень розподілу густини імпульсу електронів. Виконано порівняння результатів дослідження та емпіричними даними. Експериментальні ізотропні профілі виявилися узгодженими із даними DFT. Крім того, для оцінки перенесення заряду в антимоніті індію (InSb), розрахунки з використанням іонної моделі (IO) на основі 5p-стану In і 5p-стану атомів Sb показали, що 0,5 електроного 5p-стану In могло бути перенесено у 5p-стан атомів Sb. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/19379 |
| Appears in Collections: | Т. 25, № 1 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| pcss,+10_Mohammed(e).pdf | 493.16 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.