Структурно-морфологічні властивості тонких плівок CdSe1-xSx, отриманих методом високочастотного магнетронного розпилення

Abstract

Тонкі плівки CdSe1-xSx (x= 0.3, 0.4 та 0.6) осаджено на кварцові та кремнієві підкладки методом високочастотного магнетронного напилення. Аналіз хімічного складу та уточнення кристалічної структури досліджено за допомогою рентгенівської флуоресцентної спектроскопії та рентгенівської дифракції. Тонкі плівки CdSe1-xSx кристалізуються в гексагональну структуру (тип структури – ZnO, просторова група P63mc (№ 186)). Параметри кристалічної решітки (a, c і V), розмір кристалітів (D), деформація (ε), щільність дислокацій (δ) і текстурний коефіцієнт TC(hkl) оцінювали за результатами рентгенівського дифракційного аналізу. Параметри елементарної комірки зменшуються зі збільшенням вмісту серу в тонкій плівці CdSe1-xSx.