Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates

Новосядлий, Степан Петрович; Дзундза, Богдан Степанович; Грига, Володимир Михайлович; Новосядлий, Святослав Володимирович; Котик, Михайло Васильович; Мандзюк, Володимир Ігорович

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1843

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Новосядлий, Степан Петрович	-
dc.contributor.author	Дзундза, Богдан Степанович	-
dc.contributor.author	Грига, Володимир Михайлович	-
dc.contributor.author	Новосядлий, Святослав Володимирович	-
dc.contributor.author	Котик, Михайло Васильович	-
dc.contributor.author	Мандзюк, Володимир Ігорович	-
dc.date.accessioned	2020-03-23T13:44:17Z	-
dc.date.available	2020-03-23T13:44:17Z	-
dc.date.issued	2017	-
dc.identifier.citation	S. Novosyadlyj, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosyadlyj, M. Kotyk, V. Mandzyuk. Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates // Eastern-European Journal of Enterprise Technologies. 2017. V. 3, N. 5(87). P. 54-61.	uk_UA
dc.identifier.issn	1729-3774	-
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/1843	-
dc.description.abstract	Проведено аналіз складних структур різної архітектури ІС/ВІС на епі-шарах GaAs, сформованих на Si-підкладках. Вияснено вплив процесів розсіюваних носіїв заряду на флуктуаціях потенціалу на величину і профіль рухливості електронів по товщині епітаксіальної структури. Експериментально показано, що підвищення крутизни в транзисторах Шотткі на основі структур із заглибленими шарами можливе при зниженні опору паразитних областей затвор-стік, затвор витік.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	НПП ЧП «Технологічний Центр»	uk_UA
dc.relation.ispartofseries	V. 3, N. 5(87);	-
dc.subject	комплементарні структури	uk_UA
dc.subject	напівпровідники	uk_UA
dc.subject	епітаксія	uk_UA
dc.subject	інтегральні схеми	uk_UA
dc.subject	технологічні особливості	uk_UA
dc.title	Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates	uk_UA
dc.title.alternative	Дослідження конструктивних і технологічних особливостей формування епітаксійних арсенід-галієвих структур на кремнієвих підкладках	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Appears in Collections:	Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
104563-224066-1-PB.pdf		956.59 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record

DSpace JSPUI

DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets