Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/1843
Title: | Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates |
Other Titles: | Дослідження конструктивних і технологічних особливостей формування епітаксійних арсенід-галієвих структур на кремнієвих підкладках |
Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Дзундза, Богдан Степанович Грига, Володимир Михайлович Новосядлий, Святослав Володимирович Котик, Михайло Васильович Мандзюк, Володимир Ігорович |
Keywords: | комплементарні структури напівпровідники епітаксія інтегральні схеми технологічні особливості |
Issue Date: | 2017 |
Publisher: | НПП ЧП «Технологічний Центр» |
Citation: | S. Novosyadlyj, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosyadlyj, M. Kotyk, V. Mandzyuk. Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates // Eastern-European Journal of Enterprise Technologies. 2017. V. 3, N. 5(87). P. 54-61. |
Series/Report no.: | V. 3, N. 5(87); |
Abstract: | Проведено аналіз складних структур різної архітектури ІС/ВІС на епі-шарах GaAs, сформованих на Si-підкладках. Вияснено вплив процесів розсіюваних носіїв заряду на флуктуаціях потенціалу на величину і профіль рухливості електронів по товщині епітаксіальної структури. Експериментально показано, що підвищення крутизни в транзисторах Шотткі на основі структур із заглибленими шарами можливе при зниженні опору паразитних областей затвор-стік, затвор витік. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/1843 |
ISSN: | 1729-3774 |
Appears in Collections: | Статті та тези (ФТФ) |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
104563-224066-1-PB.pdf | 956.59 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.