Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/1819
Назва: | Development of technology of superconducting multilevel wiring in speed GaAs structures of LSI/VLSI |
Інші назви: | Розробка технології надпровідної багаторівневої металізації для високошвидкісних GaAs структур ВІС/НВІС |
Автори: | Новосядлий, Степан Петрович Котик, Михайло Васильович Дзундза, Богдан Степанович Грига, Володимир Михайлович Новосядлий, Святослав Володимирович Мандзюк, Володимир Ігорович |
Ключові слова: | комплементарні структури епітаксія інтегральні схеми карбонові плівки надпровідність магнетронне осадження |
Дата публікації: | 2018 |
Видавництво: | НПП ЧП «Технологічний Центр» |
Бібліографічний опис: | S. Novosiadlyi, M. Kotyk, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosiadlyi, V. Mandzyuk. Development of technology of superconducting multilevel wiring in speed GaAs structures of LSI/VLSI // Eastern-European Journal of Enterprise Technologies. 2018. V. 1, N. 5(91). P. 53-62. |
Серія/номер: | V. 1, N. 5(91); |
Короткий огляд (реферат): | Розглянуто технологічні аспекти використання надпровідних матеріалів та показано можливість виготовлення мішеней для магнетронного осадження плівок для формування кріопровідної розводки в структурах ВІС на основі GaAs. Визначені технологічні методи і режими осадження та розроблено високоефективну технологію виготовлення кріосплавів на основі Al, Nb, V з домішками Si, Ge та РЗМ та магнетронного формування надпровідних плівок із сплавів алюмінію, ніобію та ванадію |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/1819 |
ISSN: | 1729-3774 |
Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
123143-266188-1-PB.pdf | 1.59 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.