DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/1818| Назва: | Особливості розсіювання носіїв заряду в епітаксійних структурах на основі халькогенідів свинцю |
| Інші назви: | Features of Carrier Scattering in the Epitaxial Structures on the Basis of Lead Chalkogenides |
| Автори: | Фреїк, Дмитро Михайлович Пасічняк, Володимир Федорович Соколов, Олександр Леонідович Дзундза, Богдан Степанович |
| Ключові слова: | гетероструктури дислокації розсіювання рухливість |
| Дата публікації: | 2004 |
| Бібліографічний опис: | 3.2. Д.М. Фреїк, В.Ф. Пасічняк, О.Л. Соколов, Б.С. Дзундза. Особливості розсіювання носіїв заряду в епітаксійних структурах на основі халькогенідів свинцю // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т.5, № 3. – С. 401-403. |
| Короткий огляд (реферат): | Зроблено аналіз залежності рухливості носіїв заряду від товщини епітаксійних одношарових плівок p - PbTe i n - PbS, а також гетероструктур p - PbTe / n - PbS, осаджених із парової фази методом гарячої стінки на сколи (111) кристалів BaF2. Визначено внесок розсіювання на поверхні, а також дислокаціях невідповідності на межі “підкладка - плівка” і гетероструктури. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/1818 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| P_06_VpS.pdf | 367.01 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.