Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/17591
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Кутлієв, У. О. | - |
dc.contributor.author | Отабаєв, М. У. | - |
dc.contributor.author | Карімов, М. К. | - |
dc.contributor.author | Машаріпов, Ф. К. | - |
dc.contributor.author | Войцеховські, І. | - |
dc.date.accessioned | 2023-10-24T11:20:06Z | - |
dc.date.available | 2023-10-24T11:20:06Z | - |
dc.date.issued | 2023 | - |
dc.identifier.citation | Кутлієв У. О. Розсіювання низькоенергетичних іонів Ne+ зі ступінчастої поверхні InGaP(001)<110> при малих кутах падіння / У. О. Кутлієв, М. У. Отабаєв, М. К. Карімов, Ф. К. Машаріпов, І. Войцеховські // Фізика і хімія твердого тіла. - 2023. - Т. 24. - № 3. - С. 542-548. | uk_UA |
dc.identifier.other | 10.15330/pcss.24.3.542-548 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/17591 | - |
dc.description.abstract | Методами комп’ютерного моделювання розглянуто розсіювання іонів Ne+ під малими кутами падіння від ступінчастої поверхні InGaP(001) <110> на E0 = 5 кеВ. Досліджено траєкторії деканалованих іонів з поверхні дефекту, а також їх енергію при розсіянні та від кута розсіяння. Показано, що перед деканалуванням зростає частота й амплітуда траєкторії іонів, які переміщують поверхневий канал, утворений східчастим атомом. Отримано енергетичні розподіли цих іонів і визначено частину спектра, що відповідає цим іонам. Встановлено, що енергетичні деканаловані іони формують піки низької інтенсивності в низькоенергетичній частині спектра. | uk_UA |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника | uk_UA |
dc.subject | півканали | uk_UA |
dc.subject | дефекти | uk_UA |
dc.subject | іонне розсіювання | uk_UA |
dc.subject | комп’ютерна симуляція | uk_UA |
dc.title | Розсіювання низькоенергетичних іонів Ne+ зі ступінчастої поверхні InGaP(001)<110> при малих кутах падіння | uk_UA |
dc.title.alternative | Scattering of low-energy Ne+ ions from the stepped surface of InGaP(001)<110> at the small angles of incidence | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Т. 24, № 3 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
6954-Текст статті-21195-1-10-20230926.pdf | 686.75 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.