Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/1660
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Іванишин, Ірина Мирославівна | - |
dc.contributor.author | Ivanyshyn, Iryna | - |
dc.date.accessioned | 2020-03-21T21:05:14Z | - |
dc.date.available | 2020-03-21T21:05:14Z | - |
dc.date.issued | 2002 | - |
dc.identifier.citation | Іванишин І.М. Механізми утворення твердих розчинів SnTe-GaTe і SnTe-Ga2Te3 та їх дефектна підсистема // Фізика і хімія твердого тіла. 2002. Т.3, №3. С. 549–556. | uk_UA |
dc.identifier.other | http://page.if.ua/uploads/pcss/vol3/0303-30.pdf | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/1660 | - |
dc.description.abstract | Методами кристалоквазіхімії зроблено аналіз механізмів утворення твердих розчинів квазібінарних систем SnTe-GaTe і SnTe-Ga2Te3 на основі кристалічної структури телуриду олова. Показано, що при легуванні SnTe сполукою GaTe реалізуються одночасно як механізми вкоріненя галію у тетраедричні порожнини (на початкових стадіях з утворенням структури цинкової обманки), так і заміщення галієм атомів олова. У системі SnTe-Ga2Te3 утворення твердого розчину відбувається за механізмом вкорінення з утворенням комплексів Ga2Te3. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника | uk_UA |
dc.subject | телурид олова | uk_UA |
dc.subject | телурид галію | uk_UA |
dc.subject | дефекти | uk_UA |
dc.subject | октаедричні і тетраедричні порожнини | uk_UA |
dc.title | Механізми утворення твердих розчинів SnTe-GaTe і SnTe-Ga2Te3 та їх дефектна підсистема | uk_UA |
dc.title.alternative | Mechanisms of SnTe-GaTe and SnTe-Ga2Te3 solid solution formation, its defects subsyste | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Статті та тези (ФФВС) |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
ФХТТ_2002_2.pdf | 357.62 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.