DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/1660| Назва: | Механізми утворення твердих розчинів SnTe-GaTe і SnTe-Ga2Te3 та їх дефектна підсистема |
| Інші назви: | Mechanisms of SnTe-GaTe and SnTe-Ga2Te3 solid solution formation, its defects subsyste |
| Автори: | Іванишин, Ірина Мирославівна Ivanyshyn, Iryna |
| Ключові слова: | телурид олова телурид галію дефекти октаедричні і тетраедричні порожнини |
| Дата публікації: | 2002 |
| Видавництво: | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника |
| Бібліографічний опис: | Іванишин І.М. Механізми утворення твердих розчинів SnTe-GaTe і SnTe-Ga2Te3 та їх дефектна підсистема // Фізика і хімія твердого тіла. 2002. Т.3, №3. С. 549–556. |
| Короткий огляд (реферат): | Методами кристалоквазіхімії зроблено аналіз механізмів утворення твердих розчинів квазібінарних систем SnTe-GaTe і SnTe-Ga2Te3 на основі кристалічної структури телуриду олова. Показано, що при легуванні SnTe сполукою GaTe реалізуються одночасно як механізми вкоріненя галію у тетраедричні порожнини (на початкових стадіях з утворенням структури цинкової обманки), так і заміщення галієм атомів олова. У системі SnTe-Ga2Te3 утворення твердого розчину відбувається за механізмом вкорінення з утворенням комплексів Ga2Te3. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/1660 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФФВС) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ФХТТ_2002_2.pdf | 357.62 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.