Виготовлення четвертинних наноструктур GO/Sb2O3/PMMA/PC та адаптація їх структурних і діелектричних характеристик для твердотільних електронних нанопристроїв

Abstract

Плівки четвертинних наноструктур (PMMA-PC/Sb2O3-GO) отримано методом лиття з різними концентраціями НЧ Sb2O3/GO (0, 1,4 %, 2,8 %, 4,2 % та 5,6 %). Структурні та діелектричні характеристики системи наноструктур (PMMA-PC/Sb2O3-GO) досліджували для їх використання в різних нанопристроях твердотільної електроніки. Морфологію плівок наноструктур (PMMA-PC/Sb2O3-GO) досліджено за допомогою скануючої електронної мікроскопії (SEM). SEM-зображення вказують на велику кількість однорідних і когерентних агрегатів або шматків. Аналіз інфрачервоної спектроскопії з перетворенням Фур’є (FTIR) проводили, щоб показати взаємодію між Sb2O3/GO NP та сумішшю PMMA/PC. Досліджено діелектричні властивості плівок наноструктур в діапазоні частот (100Гц-5МГц). Показано, що діелектрична проникність, діелектричні втрати та електропровідність змінного струму зростають зі збільшенням концентрації НЧ (Sb2O3-GO). Діелектрична проникність і діелектричні втрати були зменшені, тоді як електрична провідність зростала з частотою. Результати показали, що наноструктури PMMA-PC/Sb2O3-GO можна розглядати як перспективні матеріали для твердотільних електронних нанопристроїв.