Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/16163
Title: | Виготовлення четвертинних наноструктур GO/Sb2O3/PMMA/PC та адаптація їх структурних і діелектричних характеристик для твердотільних електронних нанопристроїв |
Other Titles: | Fabrication and Tailoring the Structural and Dielectric Characteristics of GO/Sb2O3/PMMA/PC Quaternary Nanostructures For Solid State Electronics Nanodevices |
Authors: | Сабур, Д. А. Хабіб, М. А. Hashim, Ahmed |
Keywords: | нанопристрої нанокомпозити оксид графену діелектричні властивості |
Issue Date: | 2023 |
Publisher: | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника |
Citation: | Сабур Д. А. Виготовлення четвертинних наноструктур GO/Sb2O3/PMMA/PC та адаптація їх структурних і діелектричних характеристик для твердотільних електронних нанопристроїв / Д. А. Сабур, М. А. Хабіб, A. Hashim // Фізика і хімія твердого тіла. - 2023. - Т. 24. - № 1. - С. 173-180. |
Abstract: | Плівки четвертинних наноструктур (PMMA-PC/Sb2O3-GO) отримано методом лиття з різними концентраціями НЧ Sb2O3/GO (0, 1,4 %, 2,8 %, 4,2 % та 5,6 %). Структурні та діелектричні характеристики системи наноструктур (PMMA-PC/Sb2O3-GO) досліджували для їх використання в різних нанопристроях твердотільної електроніки. Морфологію плівок наноструктур (PMMA-PC/Sb2O3-GO) досліджено за допомогою скануючої електронної мікроскопії (SEM). SEM-зображення вказують на велику кількість однорідних і когерентних агрегатів або шматків. Аналіз інфрачервоної спектроскопії з перетворенням Фур’є (FTIR) проводили, щоб показати взаємодію між Sb2O3/GO NP та сумішшю PMMA/PC. Досліджено діелектричні властивості плівок наноструктур в діапазоні частот (100Гц-5МГц). Показано, що діелектрична проникність, діелектричні втрати та електропровідність змінного струму зростають зі збільшенням концентрації НЧ (Sb2O3-GO). Діелектрична проникність і діелектричні втрати були зменшені, тоді як електрична провідність зростала з частотою. Результати показали, що наноструктури PMMA-PC/Sb2O3-GO можна розглядати як перспективні матеріали для твердотільних електронних нанопристроїв. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/16163 |
Appears in Collections: | Т. 24, № 1 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
5919-Текст статті-19514-1-10-20230321.pdf | 1.34 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.