Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/15430
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петрович-
dc.contributor.authorМельник, Л. В.-
dc.date.accessioned2023-02-28T12:29:06Z-
dc.date.available2023-02-28T12:29:06Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Високоефективні фотоелектричні перетворювачі сонячної енергії на основі бар'єра Шотткі до аморфного гідрогенізованого кремнію (a - Si H:) / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 1071-1075.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/15430-
dc.description.abstractАморфний гідрогенізований кремній ( a - Si H: ) - відносно новий напівпровідниковий матеріал, що є перспективним для створення досить дешевих тонко плівкових фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії. Перші СЕ на основі даного матеріалу представляють собою структуру з бар'єром Шотткі (БШ). Це дозволило за досить короткий термін (десятиліття) на цих структурах отримати К.К.Д на рівні 8-10% на СЕ малої площі. Проте в подальшому розвитку розвивались ФЕП на основі p-n переходу (p i n-структуру), які використовували для створення високоефективних СЕ великої площі з стабільними параметрами і характеристиками.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectаморфний гідрогенізований кремнійuk_UA
dc.subjectбар'єр Шотткіuk_UA
dc.titleВисокоефективні фотоелектричні перетворювачі сонячної енергії на основі бар'єра Шотткі до аморфного гідрогенізованого кремнію (a - Si H:)uk_UA
dc.title.alternativeHigh-Efficiency Photovoltaic Solar Energy Converters Based Schottky Barrier to Amorphous Hydrogenated Silicon ( a - Si H:)uk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 13, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1304-40.pdf216.22 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.