Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/15430
Назва: | Високоефективні фотоелектричні перетворювачі сонячної енергії на основі бар'єра Шотткі до аморфного гідрогенізованого кремнію (a - Si H:) |
Інші назви: | High-Efficiency Photovoltaic Solar Energy Converters Based Schottky Barrier to Amorphous Hydrogenated Silicon ( a - Si H:) |
Автори: | Новосядлий, Степан Петрович Мельник, Л. В. |
Ключові слова: | аморфний гідрогенізований кремній бар'єр Шотткі |
Дата публікації: | 2012 |
Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Бібліографічний опис: | Новосядлий С. П. Високоефективні фотоелектричні перетворювачі сонячної енергії на основі бар'єра Шотткі до аморфного гідрогенізованого кремнію (a - Si H:) / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 1071-1075. |
Короткий огляд (реферат): | Аморфний гідрогенізований кремній ( a - Si H: ) - відносно новий напівпровідниковий матеріал, що є перспективним для створення досить дешевих тонко плівкових фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії. Перші СЕ на основі даного матеріалу представляють собою структуру з бар'єром Шотткі (БШ). Це дозволило за досить короткий термін (десятиліття) на цих структурах отримати К.К.Д на рівні 8-10% на СЕ малої площі. Проте в подальшому розвитку розвивались ФЕП на основі p-n переходу (p i n-структуру), які використовували для створення високоефективних СЕ великої площі з стабільними параметрами і характеристиками. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/15430 |
Розташовується у зібраннях: | Т. 13, № 4 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
1304-40.pdf | 216.22 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.