Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/15398
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБрус, Віктор Васильович-
dc.contributor.authorКовалюк, Захар Дмитрович-
dc.contributor.authorМар’янчук, Павло Дмитрович-
dc.date.accessioned2023-02-27T10:30:23Z-
dc.date.available2023-02-27T10:30:23Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationБрус В. В. Електричні та фотоелектричні властивості напівпровідникової гетероструктури n-TiO2/p-GaSe / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Мар’янчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 1047-1051.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/15398-
dc.description.abstractДосліджено електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури n-ТіО2/p-GaSe виготовленої нанесенням тонкої плівки діоксиду титану методом реактивного магнетронного випаровування при постійній напрузі на свіжо сколоту поверхню монокристалічної підкладки шаруватого напівпровідника GaSe. Встановлено домінуючі механізми струмопереносу через досліджуваний гетероперехід при прямому та зворотному зміщеннях.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectТіО2uk_UA
dc.subjectGaSeuk_UA
dc.subjectтонка плівкаuk_UA
dc.subjectгетероструктураuk_UA
dc.titleЕлектричні та фотоелектричні властивості напівпровідникової гетероструктури n-TiO2/p-GaSeuk_UA
dc.title.alternativeElectrical and Photoelectrical Properties of a Semiconductor Heterostructure N-Tio2/P-Gaseuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 13, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1304-36.pdf161.69 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.