DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/15398| Назва: | Електричні та фотоелектричні властивості напівпровідникової гетероструктури n-TiO2/p-GaSe |
| Інші назви: | Electrical and Photoelectrical Properties of a Semiconductor Heterostructure N-Tio2/P-Gase |
| Автори: | Брус, Віктор Васильович Ковалюк, Захар Дмитрович Мар’янчук, Павло Дмитрович |
| Ключові слова: | ТіО2 GaSe тонка плівка гетероструктура |
| Дата публікації: | 2012 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Брус В. В. Електричні та фотоелектричні властивості напівпровідникової гетероструктури n-TiO2/p-GaSe / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Мар’янчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 1047-1051. |
| Короткий огляд (реферат): | Досліджено електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури n-ТіО2/p-GaSe виготовленої нанесенням тонкої плівки діоксиду титану методом реактивного магнетронного випаровування при постійній напрузі на свіжо сколоту поверхню монокристалічної підкладки шаруватого напівпровідника GaSe. Встановлено домінуючі механізми струмопереносу через досліджуваний гетероперехід при прямому та зворотному зміщеннях. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/15398 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 13, № 4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1304-36.pdf | 161.69 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.