Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/15398
Title: Електричні та фотоелектричні властивості напівпровідникової гетероструктури n-TiO2/p-GaSe
Other Titles: Electrical and Photoelectrical Properties of a Semiconductor Heterostructure N-Tio2/P-Gase
Authors: Брус, Віктор Васильович
Ковалюк, Захар Дмитрович
Мар’янчук, Павло Дмитрович
Keywords: ТіО2
GaSe
тонка плівка
гетероструктура
Issue Date: 2012
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Брус В. В. Електричні та фотоелектричні властивості напівпровідникової гетероструктури n-TiO2/p-GaSe / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Мар’янчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 1047-1051.
Abstract: Досліджено електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури n-ТіО2/p-GaSe виготовленої нанесенням тонкої плівки діоксиду титану методом реактивного магнетронного випаровування при постійній напрузі на свіжо сколоту поверхню монокристалічної підкладки шаруватого напівпровідника GaSe. Встановлено домінуючі механізми струмопереносу через досліджуваний гетероперехід при прямому та зворотному зміщеннях.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/15398
Appears in Collections:Т. 13, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1304-36.pdf161.69 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.