DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/15395| Title: | Комп'ютерне моделювання умов формування плоского фронту кристалізації в процесі вирощування термоелектричного матеріалу |
| Other Titles: | Computer Simulation of Conditions of Crystallization Plane front Formation in the Process of Growth of Thermoelectrical Material |
| Authors: | Струтинська, Л. Т. Жихаревич, Володимир Вікторович |
| Keywords: | плоский фронт комп’ютерне моделювання клітинно-автоматні алгоритми |
| Issue Date: | 2012 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Струтинська Л. Т. Комп'ютерне моделювання умов формування плоского фронту кристалізації в процесі вирощування термоелектричного матеріалу / Л. Т. Струтинська, В. В. Жихаревич // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 1041-1046. |
| Abstract: | У статті наведено аналіз впливу умов вирощування термоелектричного матеріалу на формування плоского фронту кристалізації. Наведено результати комп'ютерного моделювання процесу росту з використанням теорії асинхронних клітинних автоматів. На основі побудованих моделей теплофізичних процесів в рідкій і твердій фазах визначені оптимальні кінетичні, термічні та кількісні умови росту однорідних термоелектричних матеріалів на основі Ві2Те3. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/15395 |
| Appears in Collections: | Т. 13, № 4 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 1304-35.pdf | 317.9 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.