DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/15369| Назва: | Адсорбційне легування наноструктур поруватого кремнію |
| Інші назви: | Adsorption Doping of Porous Silicon Nanostructures |
| Автори: | Оленич, Ігор Богданович Монастирський, Любомир Степанович Аксіментьєва, Олена Ігорівна Соколовський, Б. С. |
| Ключові слова: | поруватий кремній адсорбційне легування p – n -перехід фотоерс |
| Дата публікації: | 2012 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Оленич І. Б. Адсорбційне легування наноструктур поруватого кремнію / І. Б. Оленич, Л. С. Монастирський, О. І. Аксіментьєва, Б. С. Соколовський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 1011-1014. |
| Короткий огляд (реферат): | Представлені результати досліджень вольт-амперних характеристик і спектральних залежностей фотоерс в діапазоні довжин хвиль 450 ÷ 1100 нм шарів поруватого кремнію на монокристалічних підкладках n-типу провідності при адсорбції молекул брому та йоду. Показано, що адсорбція акцепторних молекул зумовлює зміну характеру вольт-амперних залежностей досліджуваних зразків із симетричного на випрямляючий. Отримані результати пояснюються в рамках якісної моделі, що передбачає утворення в адсорбційно легованих структурах p - n -переходів внаслідок інверсії типу провідності нанокристалів поруватого кремнію. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/15369 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 13, № 4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1304-29.pdf | 159.8 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.