Вплив присутності атомів хрому на оксидацію плівки Si

Abstract

Для вияснення мікроскопічних механізмів прискорення процеса оксидації Si в присутності моношару Cr було проведено теоретичне дослідження взаємодії атомарного кисню з тонкою плівкою кремнію в присутності атомів Cr. Методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів отримані розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для тонкої плівки кремнію в присутності моноатомного шару Cr та атомарного кисню. Спостерігається послаблення зв’язків SiSi у шарах плівки кремнію близьких до моношару Cr. Реактивність атомів Cr збільшується при їх неповній окисленності.