Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/15350
Title: | Вплив присутності атомів хрому на оксидацію плівки Si |
Other Titles: | Influence of The Presence of Chromium Atom on the Si Film Oxidation |
Authors: | Балабай, Руслана Михайлівна Чернікова, Олена Миколаївна |
Keywords: | процес оксидації плівка кремнію каталітичний вплив Cr густина валентних електронів |
Issue Date: | 2012 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Балабай Р. М. Вплив присутності атомів хрому на оксидацію плівки Si / Р. М. Балабай, О. М. Чернікова // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 993-999. |
Abstract: | Для вияснення мікроскопічних механізмів прискорення процеса оксидації Si в присутності моношару Cr було проведено теоретичне дослідження взаємодії атомарного кисню з тонкою плівкою кремнію в присутності атомів Cr. Методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів отримані розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для тонкої плівки кремнію в присутності моноатомного шару Cr та атомарного кисню. Спостерігається послаблення зв’язків SiSi у шарах плівки кремнію близьких до моношару Cr. Реактивність атомів Cr збільшується при їх неповній окисленності. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/15350 |
Appears in Collections: | Т. 13, № 4 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
1304-26.pdf | 372.8 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.