Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/15350
Title: Вплив присутності атомів хрому на оксидацію плівки Si
Other Titles: Influence of The Presence of Chromium Atom on the Si Film Oxidation
Authors: Балабай, Руслана Михайлівна
Чернікова, Олена Миколаївна
Keywords: процес оксидації
плівка кремнію
каталітичний вплив Cr
густина валентних електронів
Issue Date: 2012
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Балабай Р. М. Вплив присутності атомів хрому на оксидацію плівки Si / Р. М. Балабай, О. М. Чернікова // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 993-999.
Abstract: Для вияснення мікроскопічних механізмів прискорення процеса оксидації Si в присутності моношару Cr було проведено теоретичне дослідження взаємодії атомарного кисню з тонкою плівкою кремнію в присутності атомів Cr. Методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів отримані розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для тонкої плівки кремнію в присутності моноатомного шару Cr та атомарного кисню. Спостерігається послаблення зв’язків SiSi у шарах плівки кремнію близьких до моношару Cr. Реактивність атомів Cr збільшується при їх неповній окисленності.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/15350
Appears in Collections:Т. 13, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1304-26.pdf372.8 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.