DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/15338| Title: | Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах германій і плюмбум телуридів |
| Other Titles: | Enthalpy of Formation of Impurity-Vacancy Complexes in the Crystals of Compounds A4B6 |
| Authors: | Юрчишин, Любов Дмитрівна |
| Keywords: | легування бінарні напівпровідники комплекси точкових дефектів ентальпія утворення комплексів |
| Issue Date: | 2012 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Юрчишин Л. Д. Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах германій і плюмбум телуридів / Л. Д. Юрчишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 974-976. |
| Abstract: | Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з домішкового атома заміщення та вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів GeTe, PbTe легованих елементами третьої (Ga, In, Tl), п’ятої (Sb, Bi) та сьомої (Cl, Br, I) груп Періодичної таблиці. На основі отриманих результатів здійснено порівняльний аналіз ймовірності утворення зазначених комплексів у кристалах сполук А4В6. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/15338 |
| Appears in Collections: | Т. 13, № 4 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 1304-22.pdf | 113.62 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.