Дослідження стабільності параметрів транзисторних термосенсорів під дією рентгенівського опромінення та магнітного поля

Abstract

Представлені параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (Х - променів) та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p-n-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольт-амперних (ВАХ) та вольт-фарадних характеристик (ВФХ), показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду і незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (В = 0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але проявляє вплив на дифузійну компоненту прямого струму через p-n-перехід. Дія рентгенівських променів (D < 325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 годин) практично не змінила вольт-температурні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик у вищезгаданих умовах.